中国科学院近日宣布在激光技术领域取得重大突破，成功研发出固态深紫外（DUV）激光源。这款创新性的激光源能够发射出与当前主流DUV曝光技术波长相同的193纳米相干光，为半导体工艺提升至3纳米节点提供了有力支持。PG平台 PG电子官网
据了解，目前市场上主流的DUV光刻机，如ASML、佳能和尼康等品牌，均依赖于氟化氙（ArF）准分子激光技术。该技术通过特定的气体混合物在高压电场中激发，释放出193纳米波长的光子，PG平台 PG电子官网并经过高能量短脉冲形式发射，最终通过复杂的光学系统调整应用于光刻设备。
值得一提的是，这款固态DUV激光源不仅在光谱纯度上表现出色，更在降低光刻系统复杂度、减小体积、减少稀有气体依赖以及降低能耗方面展现出巨大潜力。然而，尽管其频率已达到现有技术的约三分之二水平，但输出功率仍需进一步提升才能达到实际应用的标准。因此，中科院将继续迭代和优化这项技术，以期早日实现商业化应用。
