复旦大学与北京大学联合团队宣布研发出全球首款基于二维材料的无硅芯片，厚度仅 0.7-1.2 纳米，功耗降低 90%，且兼容现有半导体产线无需 EUV 光刻机。该技术采用石墨烯、二硫化钼等新型材料，通过原子级堆叠实pg电子官方现晶体管结构，彻底摆脱对硅基材料的依赖。
：在相同制程下，2D 芯片运算速度提升 3 倍，能效比达到现有 3 纳米芯片的 10 倍，可用于量子计算、6G 通信等极端场景。
：无需 EUV 光刻机即可实现 3 纳米以下制程，直接打破美国对华半导体设备封锁，预计 2026 年进入中试阶段，2028 年量产。
：斯坦福大学指出，中国高性能 AI 模型与美国差距已缩小至 0.3%，此次芯片突破可能重塑全球半导体产业链格局。
