截至2025年3月，中国光刻机研发在技术突破、产业链协同和政策支持等方面取得一定进展，但在高端光刻机领域仍面临显著挑战。
中国已成功研发出28nm工艺的深紫外（DUV）光刻机，并进入小规模量产阶段。该技术通过多重曝光工艺（如SAQP）可延伸至10nm甚至7nm制程，满足国内70%以上的芯片需求。例如，中芯国际利用现有DUV设备结合SAQP技术，已实现10nm工艺的试产。
国内企业如和科达在低端光刻机领域取得商业化进展，例如2025年中标的LDI光刻机项目（金额575万元），尽管规模较小，但显示国产设备在特定领域（如封装、PCB制造）的替代能力。
光源技术：哈尔滨工业大学和科益虹源已研发出高能准分子激光器和极紫外（EUV）光源，但功率和稳定性仍落后于ASML的40kW标准，需进一步优化。
光学系统：长春光机所研发的EUV物镜系统波像差优于0.75nm，接近商用要求，但镜面镀膜精度（误差需小于0.01nm）和量产能力尚未达标。
双工件台：华卓精科成为全球第二家掌握双工件台核心技术的企业，但运动精度（0.1nm）和速度仍需提升以匹配EUV需求。
EUV光刻机依赖超10万个零部件，国内在高端镜头（如蔡司替代品）、真空系统、控制软件等领域仍依赖进口。例如，上海微电子（SMEE）的193nm ArFi光刻机样机虽通过验收，但关键部件（如光源、镜头）未完全国产化，且尚未通过实际产线验证。
国内计划投入万亿资金推动半导体设备国产化，目标2025年芯片自给率达70%。地方政府（如上海600亿AI基金）和企业（如阿里3800亿算力计划）联合支持研发。
中科院、哈工大等机构在光刻机核心部件（光源、工件台）上分工研发，但成果转化效率较低。例如，哈工大的高速超精密激光干涉仪技术虽突破，但尚未整合至量产设备。
ASML计划在华建立维修中心并采购本土零部件，短期可能缓解设备维护压力，长期或促进国内供应链技术升级。
美国联合荷兰、日本限制193nm ArF干式光刻机出口，若全面断供，国内110nm-28nm产能将受冲击，倒逼国产替代加速。
DUV光刻机与ASML技术差距约5年，EUV则需10年以上。ASML的EUV技术积累超20年，而中国EUV研发自2002年启动，目前仅完成实验室样机。
光刻机量产依赖长期工艺优化和工程师经验积累，国内缺乏商业化设备调试经验，如SMEE的90nm光刻机通过验收后未实际产线. 生态构建
国产光刻机需与芯片设计、材料、封装等环节协同，目前尚未形成完整生态链，制约技术迭代速度。
中国光刻机研发在成熟制程（28nm DUV）和部分核心部件上取得突破，但高端EUV技术仍处实验室阶段，短期内依赖进口的局面难以改变。未来需聚焦技术整合、产业链协同及人才培养，同时应PG电子官网对国际封锁压力。若政策与资本持续加码，预计2030年后或逐步缩小与ASML的差距。
