近日，晶圆代工大厂联电2024年度营运书出炉。其中提到，与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术平台进展顺利，预计2026年完成制程开发并通过验证。联电还披露了封装领域进展，晶圆级混合键合技术、3D IC异质整合等技术已成功开发，未来将全面支持边缘及云端AI应用。
英特尔代工部门于早前举行新闻发布会，介绍台湾代工企业联华电子 (UMC) 的 12nm 工艺节点，联华电子将开始在英特尔位于美国亚利桑那州的工厂生产该工艺节点。
英特尔代工的首要任务是尖端工艺节点，例如当前的英特尔3/4节点和英特尔18A，这些节点将于今年晚些时候开始量产。与此同时，英特尔也开始为客户承接采用已经成熟工艺节点的晶圆制造，例如其爱尔兰工厂生产英特尔3/4代16nm（Intel 16），以及其美国亚利桑那工厂生产联华电子的12nm。
背后的原因是，未来对成熟工艺节点的需求预计会增长，尤其是12nm至18nm工艺节点。
英特尔代工全球业务发展副总裁Walter Ng表示：“以iPhone为例，其SoC和调制解调器采用3纳米、4纳米等先进工艺节点制造，而射频（RF）部分和模拟电路等其他部分则采用55纳米至130纳米工艺节点的半导体。”他指出，即使对于智能手机这种数字设备的代表，成熟的工艺节点也至关重要。
事实上，在疫情（2020-2022）期间出现半导体供应短缺时也曾指出这一点。
PC 具有类似的结构，并且对性能有要求的芯片（例如 CPU、GPU 和内存）都采用了尖端工艺节点。由于这些产品的供求关系都得到了较好的保障，所以没有出现什么大问题。
然而，安装在内存模块上的缓冲芯片和安装在主板上的微控制器都出现了问题，导致主板短缺，无法组装个人电脑。
换句话说，为了可靠地制造智能手机和个人电脑，对用于制造这些外围芯片的成熟工艺节点的需求出奇的高。联华电子 (UMC) 是一家与台积电 (TSMC) 齐名的台湾老牌晶圆代工厂，擅长在满足此类需求的工艺节点上进行制造。
联华电子（联电、UMC）在其本月 24 日公布的年度中提到，该企业现有规划中的最先进节点 —— 也是其同英特尔展开合作的工艺 —— 12nm 目前开发顺利。
联电称 12nm 工艺比其现有 14nm 在 PPA 功耗、性能、面积三大关键指标上有明显改进。联电的客户和合作伙伴都非常看好 12nm 的潜在商机。根据主要客户的早期评估反馈，联电 12nm 的性能在业界将极具竞争力。
联电预计 12nm 制程预计将于 2026 年完成工艺验证，并于 2027 年投入生产。
在先进封装方面，联电表示其晶圆级 3D W2W（晶圆对晶圆）混合键合解决方案在带宽和尺寸收缩上均具有优势，其中在移动设备射频元器件领域方面，联电力争在本年内实现量产。
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