和其他的光刻机相比，这个光刻机足足有180吨重，大小和一辆双层巴士差不多，就连零部件都高达25万个。
和其他的光刻机相比，High-NAEUV的核心突破在于“高数值孔径”，简单来说，数值孔径越大，光刻机的“视力”就越好，能把电路图案刻得更精细。
往常的EUV光刻机数知孔径最大也不过只有0.33，而这一款足足有0.55，提升了大概一倍。
但你可不要小瞧它，就这么零点几的差距，就能让这款光刻机雕刻3nm甚至是2nm以下的芯片。
就好比以前需要多次曝光才能完成的复杂图案，现在一次就能搞定，不仅生产效率翻倍，芯片的性能和良率也大幅提升。
这个中缘由，想必大家都知道，毕竟美国早就对中国实施技术封锁，就连荷兰也在美国的施压下禁止对华出口光刻机。
看到这里想必有很多人会灰心，毕竟时代都在进步，你看现如今其他国家都做的这么好，中国怎么就迟迟没有消息呢？
央视选在这时高调展示它，用意可深了——既清醒承认差距，也在为国产替代吹响号角。
早期我国在这方面基础薄弱，主要依赖进口设备，很多关键技术和零部件都掌握在外国公司手里。
另一边，哈工大的团队在2025年搞出了个特别牛的光源技术，叫“激光诱导放电等离子体光源”。
这玩意儿优点可多了：能量转化效率贼高、成本还降下来了、能稳定输出13.5纳米波长的光，这就意味着它能满足生产7纳米芯片的要求！
南大光电成功开发出ArF、KrF等系列光刻胶产品，并实现规模化生产，这为光刻机的应用提供了有力支持。
还有，在光刻机的机械结构、控制系统等方面，我国科研人员也进行了改进和创新。
比如引入人工智能技术和大数据分析，创建了智能化的光刻机控制系统，提高了光刻机的性能和生产效率。
综合来看，咱们国家在光刻机这块儿确实往前迈了不少步，但跟国际上最牛的那几家比，差距还是明摆着的。
比如现在最尖端的那个High-NAEUV极紫外光刻机，咱们目前确实还造不出来。不过呢，甭管外头怎么说、怎么看，咱们自己在这条路上取得的进步，那可都是实打实的，一点不假。
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K1348这趟从岳阳到赤壁的火车，有没有人和我一样坐过？其实我也不太记得具体都停哪几个站了，反正每次坐的时候都在发呆，窗外的风景说实话，没太仔细看过。不过有一段好像能看到洞庭湖的水面，特别宽，天好的时候真有点美，手机拍出来也就那样，但现场看真的不一样。
