据韩媒FNnews报道，三星电子近日在其华城园区引入了ASML生产的High NA极紫外光刻(EUV)设备，旨在提升2纳米及以下制程的竞争力。ASML的High NA EUV设备“EXE:5000”是全球唯一能够提供此类设备的供应商，单台价格高达5000亿韩元。该设备通过增大透镜和反射镜尺寸，将数值孔径(NA)从0.33提升至0.55，显著提高了光刻精度，是2纳米及以下制程的必备工具。
与现有EUV设备相比，High NA EUV能够实现更窄的电路线宽，从而降低功耗并提升数据处理速度。三星自去年起已开始评估该设备的工艺应用，计划在完成设备安装后，全面构建2纳米工艺生态系统。三星晶圆代工业务部负责人韩镇万强调，尽管公司在环绕栅极(GAA)工艺转换上领先，但在商业化方面仍需加速，2纳米工艺的快速量产是其首要任务。
全球半导体巨头纷纷加速引入High-NA EUV设备，英特尔在2023年率先采购了ASML的首台High-NA EUV设备，并已签订合同购买总计6台。英特尔的前两台High-NA EUV设备已投入生产，每季度可处理3万片晶圆。
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