PG电子官网4月24日，台积电召开了北美技术研讨会（tsmc symposium 2025）。会上，台积电发布了一系列新技术，并对路线图做了更新。
台积电称，其1.4纳米级半导体工程技术A14将在性能、功耗和晶体管密度方面，相较于其N2（2纳米级）工艺带来显著提升。
A14是台积电着力研发的下一代制程工艺。据台积电透露，A14的性能将大幅优于当下最顶尖的3纳米制程，以及预计在今年晚些时候投入量产的2纳米制程。
台积电表示，开发A14技术的一大目标是助力人工智能领域的变革，它能够实现更快的计算速度，同时具备更高的能源使用效率。不仅如此，该技术还会增强智能手机的内置AI功能，让手机变得更加智能。
从台积电公布的相关数据来看，相较于今年晚些时候即将量产的N2工艺，A14表现相当出色。在保持相同功耗的情况下，A14的运算速度能够提升至多15%；若要维持相同的运算速度，它的功耗则可降低至多30%，并且其逻辑密度提升幅度超过20%。
台积电宣称，A14计划于2028年正式投入生产，目前该技术的开发进程十分顺利，良品率已经提前达标。
媒体Toms Hardware指出，A14运用第二代环栅 (GAA) 纳米片晶体管技术，同时搭配NanoFlex Pro技术来进一步增强性能，如此一来，它能实现更高的性能表现、更好的能源使用效率以及更灵活的设计。另外，和A16不同的是，A14去掉了超级电源轨 (SPR) BSPDN，因为BSPDN会额外消耗大量电能。这一调整使得客户端、边缘和专业应用能更好地发挥A14的各项功能。
台积电董事长兼首席执行官魏哲家表示：“我们的客户始终着眼于未来，而台积电的技术领导力和卓越的制造能力为他们提供了可靠的创新路线图。台积电的尖端逻辑技术（例如A14）是连接物理世界和数字世界的全面解决方案的一部分，旨在释放客户的创新潜能，推动人工智能的未来发展。”
展望未来，台积电还计划依次推出A14P、A14X、A14C等多种版本的衍生工程技术，其中， A14P是包括背侧电力供应在内的高性能版本，A14X和A14C将分别以性能最优化型和成本节省型模式进行优化。
此外，台积电还计划在2026年底推出A16制程，即采用1.6nm的制程技术。
与此同时，台积电也在开发新的晶圆基板芯片（CoWoS）技术，以满足人工智能对逻辑和HBM（高带宽存储器）日益增长的需求。
这家代工巨头宣布，其目标是到2027年实现9.5英寸光罩尺寸CoWoS的量产，从而实现12个或更多HBM堆叠的封装以及尖端的逻辑技术。
继2024年推出晶圆系统 (TSMC-SoW) 之后，台积电还推出了基于CoWoS的解决方案SoW-X，其计算能力是当前CoWoS的40倍，预计于2027年实现量产。
值得注意的是，台积电已为HBM 4时代做好了准备，推出了硅光子集成台积电紧凑型通用光子引擎 (COUPE)、用于HBM 4的 N12 和 N3 逻辑基础芯片等解决方案。
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