英特尔首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）强调，自今年3月上任以来，他已将代工业务提升至公司战略核心，推动从制程开发到客户服务的全面优化，带领其代工战略进入下一阶段。
根据英特尔对芯片的制程工艺的命名，从“纳米”单位进入“埃米”时代。Intel 7纳米更名为“Intel 4”、其后是“Intel 3”、“Intel 20A”、 “Intel 18A”。
英特尔表示，目前，Intel 18A制程节点已进入风险试产阶段，并将于今年内实现正式量产。其中，英特尔亚利桑那州的Fab 52工厂已成功完成Intel 18A的流片，18A节点的大规模量产将率先在俄勒冈州的晶圆厂实现，而在亚利桑那州的制造预计将于今年晚些时候进入量产爬坡阶段。
据悉，在客户拓展方面，NVIDIA、博通、智源科技、IBM等龙头企业已经相继开始采用Intel 18A制程进行流片测试。
接下来，Intel 18A制程节点的演进版本为Intel 18A-P，其早期试验晶圆目前已经开始生产，预计是在2026年推出。在2028年，还将演进为Intel 18A-PT，可通过Foveros Direct 3D先进封装技术与顶层芯片连接，混合键合互连间距小于5微米。
再看Intel 14A，英特尔代工已与主要客户就Intel 14A制程工艺展开合作，发送了Intel 14A PDK（制程工艺设计工具包）的早期版本。英特尔表示，这些客户已经表示有意基于该节点制造测试芯片，相对于Intel 18A所采用的PowerVia背面供电技术，Intel 14A将采用PowerDirect直接触点供电技术。
同时，英特尔代工流片的首批基于16纳米制程的产品已经进入晶圆厂生产。英特尔代工也正在与主要客户洽谈与UMC（联电）合作开发的12纳米节点及其演进版本。
除了晶圆代工制造，英特尔也涉足先进封装领域。英特尔通过Foveros Direct 3D堆叠与EMIB 2.5D桥接技术，结合14A与18A-P节点，为客户提供系统级集成服务；面向未来高带宽内存需求的EMIB-T、以及Foveros-R和Foveros-B等新技术也在大会中首次亮相，进一步丰富了封装方案 。
不过，英特尔依然面临着挑战和压力。一方面在晶圆代工领域，它直面最先进工艺节点的竞争，占据半壁江山的台积电，还在朝着新制程演进。
日前，在技术研讨会上宣布，其N2（2纳米）制程预计将于2025年下半年进入量产。并且，还推出了N2P作为N2系列的扩展，在N2的基础上进一步提升性能降低功耗，计划于2026年实现投产。
而N2之后将进入A16（即1.6nm）节点。台积电表示，A16相比N2P在相同电压和设计下，性能可提升8-10%，并且强调A16最适合用于信号路由复杂且供电网络密集的特定HPC产品，A16量产计划于2026年下半年进行。
更进一步的A14（1.4纳米）制程预计于2028年量产，A14 SPR升级版则锁定2029年推出。这也意味着2028年将是英特尔和台积电竞赛的一个新节点。
另一方面，英特尔自身的内部困境也需要突破。当前裁员与削减资本开支等举措，虽有助于短期财务改善，却也反映出公司在转型中承压。业内人士向记者指出，未来，英特尔需在加速先进工艺研发与量产的同时，优化内部运营效率与成本结构，以应对台积电的技术领先与市场优势，实现代工业务的可持续增长。pg电子官方网站
